飞兆半导体的３０Ｖ同步降压芯片组等
飞兆半导体的30V同步降压芯片组
在IMVP4/6 VCORE设计中优化效率和空间
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出同步降压转换器芯片组，其设计特别利用最新的IMVP(英特尔移动电压定位)技术规范，在笔记本电脑中优化效率和空间。通过飞兆半导体的PowerTrench MOSFET技术，高端'控制“MOSFET (FDS6298)和低端'同步“MOSFET (FDS6299S)会构成一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外，FDS6299S器件的单片电路SyncFET技术毋须使用外部肖特基二极管，因此能节省电路板空间和装配成本。
在同步降压转换器应用中，性能通常由效率来衡量。更高的效率往往意味着芯片的温度较低、可靠性更高，以及是改善电磁兼容性或EMI的指标。飞兆半导体PowerTrench技术还减少了由直通引起的大电流尖峰的出现，故此减少了信号振荡和电磁噪声辐射。此外，与需要外部肖特基二极管的解决方案相比，飞兆半导体的FDS6298/FDS6299S芯片组利用配对的集成式SyncFET器件来减少元件数目。
这种集成芯片组的米勒电荷(Miller)Qgd极低，并具有快速的开关速度和小于1的Qgd/Qgs比，以限制交叉导通(Cross-conduction)损耗的可能性。除了Vcore设计之外，快速开关FDS6298和低导通阻抗RDS(on) FDS6299S提供了配对使用的好处，非常适合于高端通信设备等应用中的大电流负载点(POL)转换器。
FDS6298(高端)MOSFET的主要性能特性包括：
低总Qg (9nC @ VGS=4.5V) 和Qgd (3nC @ VGS=4.5V)，具有快速开关速度，能提高效率；
优化的芯片和引线框架设计，能降低封装阻抗和电感、减小传导损耗及源极端电感开关损耗；
规范的Rg和100%的Rg测试实现优良的漏源开关特性。
FDS6299S(低端)MOSFET的主要性能特性包括：
低导通阻抗RDS(on)(3.9mOhm (max) @ VGS = 10V)以减小DC损耗；
低体二极管损耗 (低 QRR 和低前向电压降)以提高效率；
软恢复特性减少噪声，低Crss减小交叉传导的可能性；及
低总Qg(31nC @ VGS=5V) 降低栅级驱动要求。
这些产品均采用无铅SO-8封装，能达到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B标准...
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